隨著移動設(shè)備領(lǐng)域智能操作系統(tǒng)與硬件性能的不斷進步,智能移動設(shè)備產(chǎn)品的電池續(xù)航能力首當(dāng)其沖迎來了其發(fā)展瓶頸。同時,智能移動設(shè)備的易失性內(nèi)存(閃存)和易失性內(nèi)存(SDRAM)如何進一步提升,同樣是硬件廠商的難題之一。
據(jù)國外媒體報道,三星電子(Samsung Electronics)近日公布已開發(fā)出新一代移動儲存技術(shù)——WIDE IO Mobile DRAM。據(jù)悉,該芯片符合LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)標(biāo)準(zhǔn),并將廣泛適用于智能手機與平板電腦等移動設(shè)備。而相比普通的Mobile DRAM,全新的WIDE IO Mobile DRAM性能提升了8倍,即傳輸速度從1.6Gbps提高到了12.8Gbps,同時其功耗則減少了87%。
同時作為三星電子最大客戶之一,蘋果公司下一代蘋果iPad、蘋果iPhone以及蘋果iPod將極有可能采用這項全新技術(shù)。此外,三星電子預(yù)計在2013年將會推出采用22納米工藝的Mobile DRAM。
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