CPU:28nm HPm工藝Krait 400
驍龍800 CPU單元采用了最新的Krait 400架構(gòu),與驍龍600(Krait 300)的主要區(qū)別在于,驍龍800采用了目前最先進的28nm HPm(節(jié)能型高性能移動技術)制造工藝。更先進的制造工藝使得驍龍800處理器的主頻飆升至2.3GHz,同時進一步改進了內(nèi)存控制器,采用了業(yè)界領先的800MHz 2×32bit LPDDR3內(nèi)存,達到了12.8GBps內(nèi)存帶寬,使它的內(nèi)存延遲更小。驍龍800相比驍龍S4 Pro性能提升75%。
同為28nm級,那么HPm工藝有什么不同呢?28nm HPm是專為高性能、高集成度SoC打造的新工藝。針對移動計算設備進行了專門優(yōu)化,可用于生產(chǎn)應用處理器、整合基帶處理器等高端芯片,可以讓主頻達到2.3GHz的同時,每個核心的功耗不超過750mw,大大降低了功耗。
而此前發(fā)布的NVIDIA Tegra 4使用的是臺積電28nm HPL工藝,28nm HPL更注重漏電率與性能之間的平衡,而不是追求最高性能。由此可見,采用28nm HPm的驍龍800處理器將會在性能方面比Tegra 4更具優(yōu)勢。
另外,驍龍系列處理器,一直采用的是aSMP(異步對稱多核處理)技術,驍龍800也不例外,aSMP可以獨立限制CPU每個內(nèi)核的頻率。處理任務時需要用到的核就打開工作,其余核關閉“待命”,這樣就實現(xiàn)了高性能、低功耗,使得驍龍800處理器在保持超強性能的同時,延長了電池的續(xù)航時間。
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